Серия UNECS — это высокоскоростные «snapshot»-эллипсометры для измерения толщины и оптических параметров тонких плёнок с автоматическим построением карт по всей поверхности подложки. Устройства поддерживают автофокус и автоматическую разводку точек на R-θ-столике, что обеспечивает стабильную точность и высокую производительность как в НИОКР, так и в серийном контроле качества.

Ключевые особенности

• СкоростьМетод моментального «снимка»: быстрые карты толщины и параметров n,k без механического сканирования оптических узлов.
• ОптикаДва типовых спектральных диапазона: 530–750 нм (стандарт) и 380–760 нм (видимый), с выбором диаметра измерительного пятна.
• ТочностьПовторяемость толщины до 0,1 нм (1σ) на эталонных образцах; рабочий диапазон — от единиц нанометров до нескольких микрон (в зависимости от материала).
• АвтоматизацияАвтофокус и автоматическое R-θ-картирование всей поверхности подложки с визуализацией в 2D и, при необходимости, в 3D.
• МногослойностьПоддержка моделей многослойных структур и расчёт оптических постоянных верхних слоёв.
• НадёжностьКомпактный измерительный модуль без вращающихся узлов — меньше сервисных операций и стабильная метрология.

Линейка моделей и размеры образцов

Автоматические столы с координатной системой R-θ выпускаются в трёх типоразмерах по диаметру подложки; для каждого доступны профили картирования с заданным шагом и плотностью точек.

Технические характеристики (сводно)

• Метод: спектральная эллипсометрия (snapshot-измерение) с быстрым анализом данных.
• Диапазоны длин волн: 530–750 нм (STD) / 380–760 нм (VIS).
• Размер пятна: типично φ1 мм; опционально — около φ0,3 мм для мелких структур.
• Повторяемость толщины: до 0,1 нм (1σ) на типичных диэлектрических плёнках.
• Диапазон толщин: от ~1 нм до ~2 мкм для прозрачных/полупрозрачных слоёв (зависит от материала и модели).
• Угол падения: фиксированный, около 70° (типовая конфигурация серии UNECS).
• Визуализация: 2D-карты распределения толщины и оптических параметров; опционально — 3D-карты и камера наблюдения.
• Автокартирование: программируемая сетка R-θ, плотность точек под технологическую задачу.

Программное обеспечение и отчётность

ПО выполняет спектральные измерения Ψ(λ) и Δ(λ), рассчитывает толщину, показатель преломления n и коэффициент поглощения k, строит карты равномерности покрытия, профильные сечения и статистику (среднее/σ/макс-мин). Отчёты выгружаются в форматы CSV/PDF с вложенными настройками модели и маски картирования.

Типичные задачи и отрасли

• Контроль диэлектрических слоёв (SiO₂, SiN_x, Al₂O₃, HfO₂, ITO, резисты) в микро- и оптоэлектронике.
• НИОКР: подбор моделей многослойных стеков, сопоставление карт равномерности для ALD/PECVD/спин-коутинга и др.
• Линии массового производства: входной/выходной контроль равномерности и толщины, быстрая диагностика дрейфов процесса.

Преимущества подхода «snapshot»

Отсутствие вращающихся оптических узлов снижает требования к сервису, повышает стабильность и уменьшает чувствительность к вибрациям. Быстрый «снимок» минимизирует влияние дрейфа источника или образца и ускоряет построение карт на крупных подложках.

Компоновки и интеграция

Помимо автоматических столиков серия поддерживает переносные и встраиваемые конфигурации, интеграцию в технологические линии под вакуумом или в атмосфере, а также адаптированные версии для крупноформатных подложек. Доступны опции расширенного картирования, камеры наблюдения и расширенного спектрального диапазона.

Примечание: точные характеристики и состав опций зависят от модификации. Уточняйте спецификацию и доступные конфигурации при запросе коммерческого предложения.